2SA1012
PNP-type Bipolar Junction Transistor
특 징
형번
2SA1012
종류
PNP BJT
제조사
Toshiba
용도
SW
구조
Si.E
참고
2SC2562 Comp.
전기적 특성
최대 정격 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
V
CBO
-60
V
V
CEO
-50
V
I
C
-5
A
항목
Data
단위
P
D,a
P
D,c
25
W
T
j
150
o
C
전기적 특성 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
f
T
60
Mc
rbb'
Ohm
C
ob
170
pF
항목
Data
단위
I
CBO,max
-1
uA
V
CB
조건
-50
V
H-Parameter (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
h
FE,min
70
-
조
건
V
CE
-1
V
I
C
-1
A
h
FE,max
240
-
조
건
V
CE
-1
V
I
C
-1
A
항목
Data
단위
h
fe
-
h
ie
KOhm
h
re
-
h
oe
uS
조
건
V
CE
V
I
C
Return to Menu
2SA1012 PNP-type Bipolar Junction Transistor
특 징
전기적 특성
Return to Menu