2SA817
PNP-type Bipolar Junction Transistor
특 징
형번
2SA817
종류
PNP BJT
제조사
Toshiba
용도
PA
구조
Si.E
참고
2SC1627 Comp.
전기적 특성
최대 정격 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
V
CBO
-80
V
V
CEO
-80
V
I
C
-300
mA
항목
Data
단위
P
D,a
P
D,c
600
mW
T
j
150
o
C
전기적 특성 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
f
T
100
Mc
rbb'
Ohm
C
ob
14
pF
항목
Data
단위
I
CBO,max
-0.1
uA
V
CB
조건
-50
V
H-Parameter (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
h
FE,min
70
-
조
건
V
CE
-2
V
I
C
-50
mA
h
FE,max
240
-
조
건
V
CE
-2
V
I
C
-50
mA
항목
Data
단위
h
fe
-
h
ie
KOhm
h
re
-
h
oe
uS
조
건
V
CE
V
I
C
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2SA817 PNP-type Bipolar Junction Transistor
특 징
전기적 특성
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