2SA756
PNP-type Bipolar Junction Transistor
특 징
형번
2SA756
종류
PNP BJT
제조사
Hitachi
용도
PA
구조
Si.T
참고
2SC1030 Comp.
전기적 특성
최대 정격 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
V
CBO
-100
V
V
CEO
-80
V
I
C
-600
mA
항목
Data
단위
P
D,a
P
D,c
50
W
T
j
150
o
C
전기적 특성 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
f
T
20
Mc
rbb'
Ohm
C
ob
240
pF
항목
Data
단위
I
CBO,max
-1
mA
V
CB
조건
-30
V
H-Parameter (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
h
FE,min
80
-
조
건
V
CE
-5
V
I
C
-1
A
h
FE,max
-
조
건
V
CE
V
I
C
항목
Data
단위
h
fe
-
h
ie
KOhm
h
re
-
h
oe
uS
조
건
V
CE
V
I
C
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2SA756 PNP-type Bipolar Junction Transistor
특 징
전기적 특성
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