2N2222
NPN-type Bipolar Junction Transistor
특 징
형번
2N2222
종류
NPN BJT
제조사
Philips
용도
IF,SW
구조
Si.PE
참고
2N2907 Comp.
전기적 특성
최대 정격 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
V
CBO
60
V
V
CEO
30
V
I
C
800
mA
항목
Data
단위
P
D,a
500
mW
P
D,c
1.8
W
T
j
200
o
C
전기적 특성 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
f
T
> 250
Mc
rbb'
Ohm
C
ob
< 8
pF
항목
Data
단위
I
CBO,max
10
uA
V
CB
조건
50
V
H-Parameter (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
h
FE,min
35
-
조
건
V
CE
10
V
I
C
0.1
mA
h
FE,max
300
-
조
건
V
CE
10
V
I
C
150
mA
항목
Data
단위
h
fe
-
h
ie
KOhm
h
re
-
h
oe
uS
조
건
V
CE
V
I
C
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2N2222 NPN-type Bipolar Junction Transistor
특 징
전기적 특성
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