2N1711
NPN-type Bipolar Junction Transistor
특 징
형번
2N1711
종류
NPN BJT
제조사
ST
용도
LN
구조
Si.PE
참고
.
전기적 특성
최대 정격 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
V
CBO
75
V
V
CEO
50
V
I
C
500
mA
항목
Data
단위
P
D,a
800
mW
P
D,c
3
W
T
j
200
o
C
전기적 특성 (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
f
T
100
Mc
rbb'
Ohm
C
ob
< 25
pF
항목
Data
단위
I
CBO,max
10
uA
V
CB
조건
60
V
H-Parameter (T
a
= 25
o
C)
항목
Data
단위
h
FE,min
20
-
조
건
V
CE
10
V
I
C
0.01
mA
h
FE,max
300
-
조
건
V
CE
10
V
I
C
150
mA
항목
Data
단위
h
fe
300
-
h
ie
4.4
KOhm
h
re
7.3
-
h
oe
23.8
uS
조
건
V
CE
5
V
I
C
1
mA
Return to Menu
2N1711 NPN-type Bipolar Junction Transistor
특 징
전기적 특성
Return to Menu